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實(shí)現(xiàn)高熱導(dǎo)率的鋁基復(fù)合材料

來(lái)源:中鋁協(xié)      發(fā)布日期: 2023年10月19日
信息摘要:隨著信息產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展與芯片制程工藝的不斷進(jìn)步,微電子器件逐漸小型化、集成化和高功率化,散熱問(wèn)題成為制約微電子器件進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸。
      隨著信息產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展與芯片制程工藝的不斷進(jìn)步,微電子器件逐漸小型化、集成化和高功率化,散熱問(wèn)題成為制約微電子器件進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸。傳統(tǒng)的電子封裝材料由于較低的熱導(dǎo)率(< 300 W m-1 K-1)已經(jīng)不能滿(mǎn)足高功率電子器件的散熱需求,急需開(kāi)發(fā)新一代具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)的電子封裝材料。近年來(lái),金剛石顆粒增強(qiáng)鋁基(diamond/Al)復(fù)合材料具有較高的熱導(dǎo)率、可調(diào)控的熱膨脹系數(shù)和較低的密度,吸引了研究者的廣泛關(guān)注。目前,diamond/Al復(fù)合材料熱導(dǎo)率的高值僅為770 W m-1 K-1,未能充分利用金剛石的高導(dǎo)熱特性,如何進(jìn)一步提高diamond/Al復(fù)合材料的熱導(dǎo)率,是本領(lǐng)域主要解決的關(guān)鍵問(wèn)題。
      近日,北京科技大學(xué)張海龍教授與西安交通大學(xué)武海軍教授、北京航天航空大學(xué)趙立東教授合作,通過(guò)實(shí)現(xiàn)高界面熱導(dǎo)、大粒徑金剛石顆粒、高金剛石體積分?jǐn)?shù)和高致密度的同時(shí)優(yōu)化,獲得熱導(dǎo)率高達(dá)1021 ± 34 W m-1 K-1的diamond/Al復(fù)合材料(圖1),為目前報(bào)道金剛石顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料熱導(dǎo)率的高值,研究成果以題為Realizing ultrahigh thermal conductivity in bimodal-diamond/Al composites via interface engineering發(fā)表在Materials Today Physics(2022, 28, 100901)。
研究工作采用雙粒徑金剛石顆粒提高金剛石體積分?jǐn)?shù)并實(shí)現(xiàn)大粒徑金剛石顆粒的致密化制備,通過(guò)優(yōu)化非連續(xù)原位碳化物界面層提高界面熱導(dǎo)(圖2),利用多因素的協(xié)同作用,在diamond/Al復(fù)合材料的熱導(dǎo)率方面取得突破。該復(fù)合材料同時(shí)具有與半導(dǎo)體材料匹配的低熱膨脹系數(shù)(3.40 × 10-6 K-1)、較高的高溫?zé)釋?dǎo)率和穩(wěn)定的熱循環(huán)性能(圖3),能夠?qū)Ω吖β饰㈦娮悠骷M(jìn)行有效散熱,有望替代現(xiàn)有電子封裝材料,推動(dòng)電子封裝技術(shù)的發(fā)展。
       以上就是常熟國(guó)強(qiáng)和茂管材有限公司為你總結(jié)的實(shí)現(xiàn)高熱導(dǎo)率的鋁基復(fù)合材料,為未來(lái)中國(guó)郵輪發(fā)展提供,如果還有什么相關(guān)知識(shí)不明白的,可以咨詢(xún)我們,本文轉(zhuǎn)載于“中鋁協(xié)”。